Физикам впервые удалось непосредственно исследовать электрические свойства оксида гафния, считающегося перспективным материалом для создания нового вида флеш-памяти – «флешек».
Флеш-память, базирующаяся на использовании транзисторов для хранения информации, получила широкое распростр...
Подробнее
Комметарии